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Scintil實現III-VI DFB激光器和放大器與標準硅光技術集成

摘要:Scintil采用Tower的大批量基礎PH18M硅光子代工技術,包括低損耗波導、光電探測器和調制器,在晶圓背面單片集成DFB激光器和放大器。這一重要里程碑對于加強Scintil的供應鏈,滿足數據中心、人工智能(AI)和5G網絡對高性能通信解決方案日益增長的需求至關重要。

  ICC訊(編譯:Nina)法國Grenoble,2024年2月27日--創新硅光子集成電路(PIC)的領先供應商Scintil Photonics今天宣布,已將III-V-DFB激光器和放大器與標準硅光子技術集成在Tower Semiconductor的生產中,這標志著Scintil在加強供應鏈方面邁出了關鍵的一步。

  Scintil的全集成電路采用獨特的專有技術,依靠標準硅光子學,實現激光器和放大器的單片集成,在低功耗下為數據中心、人工智能和5G應用帶來更高的性能、速度、可靠性和高密度。

  Scintil采用Tower的大批量基礎PH18M硅光子代工技術,包括低損耗波導、光電探測器和調制器,在晶圓背面單片集成DFB激光器和放大器??蛻魧cintil電路的進一步測試表明,不需要密封封裝,同時證明了老化和堅固性的改善。

  Scintil Photonics總裁兼首席執行官Sylvie Menezo表示:“我們很高興與全球領先的晶圓代工廠Tower Semiconductor合作。在我們致力于推進通信技術和產品的過程中,我們的合作標志著一個重要的里程碑。由于我們的長期合作,我們有能力提供激光增強硅光子IC,重新定義集成、性能和可擴展性。這將使Scintil能夠大批量生產,以滿足市場需求。此外,我們的技術為實現更多材料的集成提供了非凡的機會,如量子點和鈮酸鋰材料?!?

  根據市場研究公司LightCounting的數據,硅光子收發器市場預計將以24%的復合年增長率(CAGR)增長,到2025年其總可尋址市場(TAM)將達到至少70億美元。

  Tower Semiconductor射頻業務部副總裁兼總經理Edward Preisler表示:“我們很高興能夠在這個高度集成的解決方案中支持Scintil,該解決方案利用了來自Tower的成熟的生產構件。III-V光放大器/激光器的集成符合Tower Semiconductor將尖端硅光子技術推向市場的承諾?!?

  關于Scintil Photonics

  Scintil Photonics開發和銷售增強型硅光子電路,包括:單片DWDM光源,由8到16個頻率間隔為100或200 GHz的激光器組成;單片CWDM 800Gbit/sec和1600Gbit/sec發射機,集成了DFB激光器、放大器和接收機。該公司開發了用于光子電路低速控制的創新電子產品,并使用了現成的尖端高速驅動器/TIA。

  原文:Scintil achieves integration of III-V DFB lasers and amplifiers with standard silicon photonics technology in production at Tower Semiconductor;https://www.scintil-photonics.com/post/integration-of-iii-v-dfb-lasers-and-amplifiers-with-standard-silicon-photonics-technology

內容來自:訊石光通訊網
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文章標題:Scintil實現III-VI DFB激光器和放大器與標準硅光技術集成
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